NTND31225CZTAG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

XLLGA-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

220 mA, 127 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

800 mOhms, 2.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV, 1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

125 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

NTND31225CZ

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.48 S, 0.35 S

Abfallzeit:

80 ns, 171 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25.5 ns, 71 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

142 ns, 280 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16.5 ns, 37 ns

Tags

NTND, NTN