IXTP100N04T2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.15 mm

Länge:

10.66 mm

Serie:

IXTP100N04

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.83 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

6.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.2 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXTP100, IXTP10, IXTP1, IXTP, IXT