NDS8852H

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

80 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

5 ns, 8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns, 21 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns, 21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 9 ns

Gewichtseinheit:

0.006596 oz

Tags

NDS885, NDS88, NDS8, NDS