IPL60R210P6

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ThinPAK-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

19.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

189 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

37 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

151 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

8 mm

Serie:

CoolMOS P6

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

8 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

7 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

IPL60R210P6AUMA1 SP001017096

Gewichtseinheit:

0.006716 oz

Tags

IPL60R21, IPL60R2, IPL60, IPL6, IPL