ZXMN10A09KTC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

10.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

ZXMN10

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

12.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.3 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.8 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

ZXMN10A09, ZXMN10A0, ZXMN10A, ZXMN10, ZXMN1, ZXMN, ZXM