DMTH6010LPS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerDI5060-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

41.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerDI

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

5.8 mm

Serie:

DMTH6010

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.9 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

9.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.3 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.7 ns

Gewichtseinheit:

0.003386 oz

Tags

DMTH6010LP, DMTH6010L, DMTH6010, DMTH601, DMTH60, DMTH6, DMTH, DMT