IRFS7434-7PPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

362 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

700 uOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

210 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

245 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StarkIRFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

156 S

Abfallzeit:

85 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

125 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

107 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

23 ns

Teil # Aliase:

SP001576182

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IRFS7434, IRFS743, IRFS74, IRFS7, IRFS, IRF