2N6729

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

500 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2N6729

DC-Stromverstärkung hFE Max:

80 at 50 mA, 1 V

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

80

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

2N672, 2N67, 2N6