IRFH8321TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

39 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.4 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.83 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

68 S

Abfallzeit:

6.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Teil # Aliase:

SP001575876

Tags

IRFH832, IRFH83, IRFH8, IRFH, IRF