NE5534DR2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Operationsverstärker - Operationsverstärker

RoHS:

N

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Ausgangsstrom pro Kanal:

38 mA

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

GBP - Bandbreitengewinn Produkt:

10 MHz

SR - Anstiegsrate:

13 V/us

CMRR - Gleichtaktunterdrückungsverhältnis:

70 dB

Ib - Eingangs-Bias-Strom:

2 uA

Vos - Eingangs-Offsetspannung:

4 mV

Betriebsversorgungsstrom:

8 mA

Minimale Betriebstemperatur:

0 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 70 C

Stilllegen:

Keine Abschaltung

Verpackung:

Spule

Verstärkertyp:

Rauscharmer Verstärker

Höhe:

1.5 mm (Max)

Länge:

5 mm (Max)

Produkt:

Operationsverstärker

Versorgungstyp:

Dual

Technologie:

Bipolar

Breite:

4 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Doppelte Versorgungsspannung:

+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V

de - Rauschdichte der Eingangsspannung:

7 nV/sqrt Hz

In - Eingangsrauschstromdichte:

2.5 pA/sqrt Hz

Maximale doppelte Versorgungsspannung:

+/- 20 V

Minimale duale Versorgungsspannung:

+/- 3 V

Betriebsversorgungsspannung:

+/- 3 V to +/- 20 V

Pd - Verlustleistung:

750 mW

Produktart:

Operationsverstärker - Operationsverstärker

PSRR - Stromversorgungs-Unterdrückungsverhältnis:

100 dB

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Verstärker-ICs

Vcm - Gleichtaktspannung:

Negative Rail + 3 V to Positive Rail - 3 V

Spannungsverstärkung dB:

100 dB

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

NE5534DR, NE5534D, NE5534, NE553, NE55, NE5