2N5629 PBFREE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3-2

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

100 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

2 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

1 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Serie:

2N56

DC-Stromverstärkung hFE Max:

100 at 8 A, 2 V

Verpackung:

Rohr

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

16 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

25 at 8 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

200 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

20

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N5629, 2N562, 2N56, 2N5