2SC3503CSTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-126-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

300 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2SC3503

DC-Stromverstärkung hFE Max:

40

Höhe:

11 mm

Länge:

8 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

3.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40 at 10 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

7000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

60

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.026843 oz

Tags

2SC3503, 2SC350, 2SC35, 2SC3, 2SC