STB100NH02LT4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

24 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

100 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.6 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STB100NH02L

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

9.35 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

40 S

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

75 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

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