TH58NYG3S0HBAI4

TH58NYG3S0HBAI4
Mfr. #:
TH58NYG3S0HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58NYG3S0HBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TFBGA-63
Speichergröße:
8 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
1 G x 8
Timing-Typ:
Synchron
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Marke:
Toshiba-Speicher
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58NYG3, TH58NY, TH58N, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
***i-Key
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TH58NYG3S0HBAI4
DISTI # V36:1790_21592784
Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 1G x 8 63-Pin FBGA0
    TH58NYG3S0HBAI4
    DISTI # TH58NYG3S0HBAI4-ND
    Toshiba Semiconductor and Storage Products8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Tray
    210In Stock
    • 1050:$6.1661
    • 630:$6.3899
    • 420:$6.7188
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    • 50:$7.7236
    • 25:$7.7512
    • 10:$7.9150
    • 1:$8.6000
    TH58NYG3S0HBAI4
    DISTI # TH58NYG3S0HBAI4
    Toshiba America Electronic Components8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TH58NYG3S0HBAI4)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 210
    Container: Tray
    Americas - 0
    • 2100:$5.1900
    • 1260:$5.2900
    • 840:$5.4900
    • 420:$5.5900
    • 210:$5.6900
    TH58NYG3S0HBAI4
    DISTI # 757-TH58NYG3S0HBAI4
    Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant
    193
    • 1:$8.6000
    • 10:$7.9200
    • 25:$7.7500
    • 50:$7.7200
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    • 250:$6.7200
    • 500:$6.3900
    • 1000:$6.1700
    Bild Teil # Beschreibung
    MAAM-011229-TR1000

    Mfr.#: MAAM-011229-TR1000

    OMO.#: OMO-MAAM-011229-TR1000

    RF Amplifier .05-4GHz NF 2.2dBmax -40C +85C
    CM2021Y330R-10

    Mfr.#: CM2021Y330R-10

    OMO.#: OMO-CM2021Y330R-10

    Common Mode Chokes / Filters 33ohms 0.001ohms 15A
    171825-8

    Mfr.#: 171825-8

    OMO.#: OMO-171825-8

    Headers & Wire Housings POST HDR ASSY VERT AMP EI CONN
    FA18X8R1H104KRU06

    Mfr.#: FA18X8R1H104KRU06

    OMO.#: OMO-FA18X8R1H104KRU06

    Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - Leaded 50V 0.1uF X8R 10% RAD LS:2.5mm AECQ200
    VLS201610CX-4R7M-1

    Mfr.#: VLS201610CX-4R7M-1

    OMO.#: OMO-VLS201610CX-4R7M-1-TDK

    FIXED IND 4.7UH 1A 365 MOHM SMD
    MAAM-011229-TR1000

    Mfr.#: MAAM-011229-TR1000

    OMO.#: OMO-MAAM-011229-TR1000-MACOM

    IC RF AMP 50MHZ-4GHZ 8DFN
    61300311121

    Mfr.#: 61300311121

    OMO.#: OMO-61300311121-WURTH-ELECTRONICS

    CONN HEADER VERT 3POS 2.54MM
    CM2021Y330R-10

    Mfr.#: CM2021Y330R-10

    OMO.#: OMO-CM2021Y330R-10-LAIRD-TECHNOLOGIES

    EMI Filter Beads, Chips & Arrays 33ohms 0.001ohms 15A
    J-LINK EDU

    Mfr.#: J-LINK EDU

    OMO.#: OMO-J-LINK-EDU-1190

    Emulators / Simulators J-LINK EDU
    171825-8

    Mfr.#: 171825-8

    OMO.#: OMO-171825-8-TE-CONNECTIVITY

    Headers & Wire Housings POST HDR ASSY VERT AMP EI CONN
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    193
    Auf Bestellung:
    2176
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
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    1
    8,60 $
    8,60 $
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    3 195,00 $
    1000
    6,17 $
    6 170,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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