IXFA4N100P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

26 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.83 mm

Länge:

9.65 mm

Serie:

IXFA4N100

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Polar HiPerFET Leistungs-MOSFET

Breite:

10.41 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.8 S

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

36 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

24 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXFA4N100P, IXFA4N1, IXFA4, IXFA, IXF