ZXTDE4M832TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

T

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MLP-832-8

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V, 70 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V, 70 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3.5 A, 2.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

160 MHz, 180 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

900

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3.5 A, - 2.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZXTD, ZXT