CGHV14250F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Cree, Inc.

Produktkategorie:

HF-JFET-Transistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

HEMT

Technologie:

GaN

Gewinnen:

18.6 dB

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:

- 10 V to 2 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

18 A

Ausgangsleistung:

330 W

Maximale Drain-Gate-Spannung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 130 C

Pd - Verlustleistung:

-

Montageart:

Schraubbefestigung

Paket / Koffer:

440162

Verpackung:

Rohr

Anwendung:

-

Aufbau:

Single

Höhe:

3.78 mm

Länge:

20.45 mm

Arbeitsfrequenz:

1.2 GHz to 1.4 GHz

Betriebstemperaturbereich:

-

Produkt:

GaN HEMT

Breite:

10.29 mm

Marke:

Wolfspeed / Cree

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Gate-Source-Abschaltspannung:

-

Klasse:

-

Entwicklungs-Kit:

CGHV14250F-TB

Abfallzeit:

-

NF - Rauschzahl:

-

P1dB - Kompressionspunkt:

-

Produktart:

HF-JFET-Transistoren

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

-

Anstiegszeit:

-

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

-

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 3 V

Tags

CGHV142, CGHV14, CGHV1, CGHV, CGH