NX7002BKMYL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-1006-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

350 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

680 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

600 mS

Abfallzeit:

2.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.3 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.7 ns

Gewichtseinheit:

0.000028 oz

Tags

NX7002BKM, NX7002B, NX7002, NX700, NX70, NX7