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SI1417EDH-T1-E3

SI1417EDH-T1-E3
Mfr. #:
SI1417EDH-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI1417EDH-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI1417EDH-E3
Gewichtseinheit
0.000265 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
TrenchFET
Paket-Koffer
SOT-363-6
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 P-Channel
Pd-Verlustleistung
1 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
1400 ns
Anstiegszeit
1400 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
2.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
160 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
4900 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
600 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI1417EDH-T, SI1417E, SI1417, SI141, SI14, SI1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-70 T/R
***C
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin
***ment14 APAC
MOSFET, P CH, -12V, -2.7A, SOT-363-6
***i-Key
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
***ser
P-Channel MOSFETs 12V 3.3A
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-3300mA; Drain Source Voltage, Vds:-12V; On Resistance, Rds(on):0.160ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-0.45V; Power Dissipation, Pd:1W ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, P CH, -12V, -2.7A, SOT-363; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.7A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.133ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; Power Dissipation Pd:1W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; MSL:-
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI1417EDH-T1-E3
DISTI # SI1417EDH-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI1417EDH-T1-E3
    DISTI # SI1417EDH-T1-E3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI1417EDH-T1-E3
      DISTI # SI1417EDH-T1-E3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI1417EDH-T1-E3
        DISTI # 781-SI1417EDH-E3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
        RoHS: Compliant        		0
          SI1417EDH-T1
          DISTI # 781-SI1417EDH          		Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
          RoHS: Not compliant          		0
            SI1417EDH-T1-E3Vishay Intertechnologies 121
              SI1417EDH-T1-E3
              DISTI # 2335279              		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CH, -12V, -2.7A, SOT-363
              RoHS: Compliant              		0
              • 1:$1.0500
              • 10:$0.7660
              • 100:$0.7180
              • 250:$0.6220
              • 500:$0.5270
              • 1000:$0.4150
              • 3000:$0.3350
              • 6000:$0.3180
              Bild Teil # Beschreibung
              SI1417EDH-T1-GE3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-GE3

              		 MOSFET
              SI1417EDH-T1-E3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-E3

              		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1441EDH-T1-GE3
              SI1417EDH

              Mfr.#: SI1417EDH

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-1190

              		 Neu und Original
              SI1417EDH-T1

              Mfr.#: SI1417EDH-T1

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-1190

              		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1441EDH-T1-GE3
              SI1417EDH-T1-GE3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-GE3-VISHAY

              		 MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6
              SI1417EDH-T1-E3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-E3-VISHAY

              		 IGBT Transistors MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
              Verfügbarkeit
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              Available
              Auf Bestellung:
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              100
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              0,00 $
              1000
              0,00 $
              0,00 $
              Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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