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SGS5N150UFTU

SGS5N150UFTU
Mfr. #:
SGS5N150UFTU
Hersteller:
ON Semiconductor / Fairchild
Beschreibung:
IGBT Transistors SGS10N60RUFD1TU
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SGS5N150UFTU Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
E
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-220-3 FP
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1500 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
4.7 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
10 A
Pd - Verlustleistung:
50 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
SGS5N150UF
Verpackung:
Rohr
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
10 A
Höhe:
9.19 mm
Länge:
10.16 mm
Breite:
4.7 mm
Marke:
ON Semiconductor / Fairchild
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
10 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
+/- 100 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
IGBTs
Teil # Aliase:
SGS5N150UFTU_NL
Gewichtseinheit:
0.080072 oz
Tags
SGS5N, SGS5, SGS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1.5KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
***rchild Semiconductor
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor ( IGBT) provides low conduction and switching losses. SGS5N150UF is designed for the Switching Power Supply applications.
***ark
Transistor; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:10A; Collector Emitter Voltage, Vces:1500V; Power Dissipation, Pd:20W; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:1.5kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SGS5N150UFTU
DISTI # SGS5N150UFTU-ND		ON SemiconductorIGBT 1500V 10A 50W TO220F
Min Qty: 1000
Container: Tube		Limited Supply - Call
    SGS5N150UFTU
    DISTI # SGS5N150UFTU    		ON SemiconductorTRANS IGBT CHIP N-CH 1.5KV 10A 3PIN TO-220F - Bulk (Alt: SGS5N150UFTU)
    Min Qty: 127
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 1270:$2.4321
    • 635:$2.4937
    • 256:$2.5256
    • 129:$2.5584
    • 127:$2.5752
    SGS5N150UFTU
    DISTI # 83C0945    		ON SemiconductorSINGLE IGBT, 1.5KV, 10A,DC Collector Current:10A,Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.5kV,Power Dissipation Pd:20W,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.5kV,No. of Pins:3Pins,Operating Temperature Max:150°C,MSL:- RoHS Compliant: Yes
    RoHS: Compliant    		0
      SGS5N150UFTUFairchild Semiconductor CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1500V V(BR)CES, N-Channel
      RoHS: Compliant      		163
      • 1000:$2.5900
      • 500:$2.7300
      • 100:$2.8400
      • 25:$2.9600
      • 1:$3.1900
      Bild Teil # Beschreibung
      SGS5N150UFTU

      Mfr.#: SGS5N150UFTU

      OMO.#: OMO-SGS5N150UFTU

      		 IGBT Transistors SGS10N60RUFD1TU
      SGS5N150UF

      Mfr.#: SGS5N150UF

      OMO.#: OMO-SGS5N150UF-1190

      		 Neu und Original
      SGS5N150UFTU

      Mfr.#: SGS5N150UFTU

      OMO.#: OMO-SGS5N150UFTU-ON-SEMICONDUCTOR

      		 IGBT 1500V 10A 50W TO220F
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      5000
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von SGS5N150UFTU dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
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