RW1E015RPT2R

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

270 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

6.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

700 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.65 mm

Länge:

1.7 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

RW1E015RP

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

1.4 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.2 S

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

RW1E015RP

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

RW1E015, RW1E01, RW1E0, RW1E, RW1