BSL202SNH6327XTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

36 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

8.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Breite:

1.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

25 S

Abfallzeit:

4.06 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.26 ns

Teil # Aliase:

BSL202SN H6327 SP001100644

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

BSL202SNH, BSL202S, BSL202, BSL20, BSL2, BSL