NDS9958

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

8 ns, 13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns, 17 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns, 26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns, 9 ns

Gewichtseinheit:

0.006596 oz

Tags

NDS995, NDS99, NDS9, NDS