BSS138WH6327XTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

280 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Serie:

BSS138

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.12 S

Abfallzeit:

8.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.2 ns

Teil # Aliase:

BSS138W BSS138WH6327XT H6327 SP000924068

Gewichtseinheit:

0.000176 oz

Tags

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