SIZ346DT-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAIR-3x3-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

17 A, 30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11.5 mOhms, 28.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.2 V, 2.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 16 V, 20 V

Qg - Gate-Ladung:

6.6 nC, 10 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

16 W, 16.7 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

GRÖSSE

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

17 S

Abfallzeit:

7 ns, 8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns, 40 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7 ns, 17 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns, 8 ns

Tags

SIZ34, SiZ3, SiZ