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TPN7R504PL,LQ

TPN7R504PL,LQ
Mfr. #:
TPN7R504PL,LQ
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TPN7R504PL,LQ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TPN7R504PL,LQ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TSON-8
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
40 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
68 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
7.5 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
24 nC
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
61 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Serie:
TPN7R504PL
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
7.3 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
5.6 ns
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
14 ns
Tags
TPN7R504, TPN7R5, TPN7R, TPN7, TPN
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
U-MOSIX-H MOSFETs
Toshiba U-MOSIX-H MOSFETs offer high-speed switching, a small gate charge, and a small output charge. The U-MOSIX-H MOSFETs feature low drain-source on-resistance, low leakage current, and an enhancement mode. The U-MOSIX-H MOSFETs are ideal for high-efficiency DC-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers.
Bild Teil # Beschreibung
TPN7R504PL,LQ

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 MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ
TPN7R506NHL1QCT-ND

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 Neu und Original
TPN7R506NHL1QDKR-ND

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TPN7R504PL

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TPN7R504PLLQ

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TPN7R506NH

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TPN7R506NHL1Q

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 MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
TPN7R506NHL1Q(M

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Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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10
0,41 $
4,06 $
100
0,36 $
35,50 $
250
0,31 $
78,00 $
500
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137,50 $
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