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FP751K1F9251B8

FP751K1F9251B8
Mfr. #:
FP751K1F9251B8
Hersteller:
Infineon Technologies AG
Beschreibung:
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FP751K1F9251B8 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Tags
FP75, FP7
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Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FP75R12KT4B11BOSA1
DISTI # V99:2348_17558255		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385000mW 35-Pin Tray
RoHS: Compliant		9
  • 1:$140.6300
FP75R12KT4B11BOSA1
DISTI # V36:1790_17558255		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385000mW 35-Pin Tray
RoHS: Compliant		0
  • 10000:$112.4600
  • 5000:$112.4700
  • 1000:$114.4300
  • 100:$119.1300
  • 10:$120.0000
FP75R12KT4B11BOSA1
DISTI # FP75R12KT4B11BOSA1-ND		Infineon Technologies AGIGBT MODULE 1200V 75A
Min Qty: 1
Container: Bulk		79In Stock
  • 1:$143.6400
FP75R12KT4B11BOSA1
DISTI # 31312429		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385000mW 35-Pin Tray
RoHS: Compliant		10
  • 10:$129.2760
FP75R12KT4B11BOSA1
DISTI # 27136486		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385000mW 35-Pin Tray
RoHS: Compliant		9
  • 1:$140.6300
FP75R12KT4B11BOSA1
DISTI # FP75R12KT4B11BOSA1		Infineon Technologies AGIGBT MODULE 1200V 75A - Bulk (Alt: FP75R12KT4B11BOSA1)
Min Qty: 3
Container: Bulk		Americas - 0
    FP75R12KT4B11BOSA1
    DISTI # FP75R12KT4B11BOSA1    		Infineon Technologies AGIGBT MODULE 1200V 75A - Trays (Alt: FP75R12KT4B11BOSA1)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 10
    Container: Tray    		Americas - 0
      FP75R12KT4B11BOSA1
      DISTI # SP000355575      		Infineon Technologies AGIGBT MODULE 1200V 75A (Alt: SP000355575)
      Min Qty: 1      		Europe - 0
        FP75R12KT4_B11
        DISTI # 84R7212        		Infineon Technologies AGIGBT Module,Transistor Polarity:N Channel,DC Collector Current:75A,Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV,Power Dissipation Pd:385W,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV,No. of Pins:35Pins,Product Range:- RoHS Compliant: Yes
        RoHS: Compliant        		0
          FP75R12KT4B11BOSA1
          DISTI # 34AC1531          		Infineon Technologies AGIGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 75A,Transistor Polarity:N Channel,DC Collector Current:75A,Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V,Power Dissipation Pd:385W,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV,Transistor Case RoHS Compliant: Yes
          RoHS: Compliant          		6
          • 1:$143.6400
          FP75R12KT4_B11
          DISTI # 641-FP75R12KT4_B11          		Infineon Technologies AGIGBT Modules N-CH 1.2KV 75A14
          • 1:$148.4900
          • 5:$145.5700
          • 10:$138.7900
          • 25:$135.8700
          FP75R12KT4B11BOSA1Infineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel
          RoHS: Compliant          		7
          • 1000:$119.2300
          • 500:$125.5400
          • 100:$130.6900
          • 25:$136.3000
          • 1:$146.6900
          FP75R12KT4B11Infineon Technologies AG Europe - 5
            FP75R12KT4B11BOSA1
            DISTI # 2781248            		Infineon Technologies AGIGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 75A
            RoHS: Compliant            		6
            • 10:£116.0000
            • 5:£118.0000
            • 1:£120.0000
            FP75R12KT4B11BOSA1
            DISTI # 2781248            		Infineon Technologies AGIGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 75A
            RoHS: Compliant            		6
            • 1:$214.8900
            Bild Teil # Beschreibung
            FP751K1F9251B8

            Mfr.#: FP751K1F9251B8

            OMO.#: OMO-FP751K1F9251B8-1190

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