FQAF33N10L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3PN-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

52 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

83 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.1 mm

Länge:

16.2 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

120 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

470 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Gewichtseinheit:

0.000194 oz

Tags

FQAF3, FQAF, FQA