SI3471CDV-T1-E3

SI3471CDV-T1-E3
Mfr. #:
SI3471CDV-T1-E3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI3471CDV-T1-E3 Datenblatt
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ECAD Model:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI3471CDV-E3
Gewichtseinheit
0.000705 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TSOP-6
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 P-Channel
Pd-Verlustleistung
2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
22 ns
Anstiegszeit
52 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
27 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
50 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
20 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI3471, SI347, SI34, SI3
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Si3 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si3 MOSFETs are a TrenchFET® power MOSFETs operate in an enhancement mode. These Si3 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel with ultra-low RDS(ON) for high-efficiency. These MOSFETs are also available in different VGS and VDS ranges. The Si3 MOSFETs incorporate Si technology and operate at a temperature ranging from -55ºC to 150ºC. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI3471CDV-T1-E3
DISTI # 781-SI3471CDV-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant
0
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  • 10:$0.5060
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  • 1000:$0.2390
  • 3000:$0.2170
  • 6000:$0.2030
  • 9000:$0.1900
  • 24000:$0.1800
Bild Teil # Beschreibung
SI3471CDV-T1-GE3

Mfr.#: SI3471CDV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3471CDV-T1-GE3

MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V
SI3471CDV-T1-E3

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SI3471CDV-T1-E3

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OMO.#: OMO-SI3471CDV-T1-E3-1190

MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V
SI3471CDV-T1-GE3

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Verfügbarkeit
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