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SI1557DH-T1-E3

SI1557DH-T1-E3
Mfr. #:
SI1557DH-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI1557DH-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Paket-Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Lieferanten-Geräte-Paket
SC-70-6 (SOT-363)
FET-Typ
N- und P-Kanal
Leistung max
470mW
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
12V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
1.2A, 770mA
Rds-On-Max-Id-Vgs
235 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 100μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
1.2nC @ 4.5V
Tags
SI155, SI15, SI1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N/P-CH 12V 1.2A/0.77A 6-Pin SC-70 T/R
***et
TRANS MOSFET N/P-CH 12V 1.2A/0.77A 6PIN SOT-363
***ark
N- AND P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET
***ser
Dual MOSFETs N/P-Ch 12V 1.0/0.56A
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI1557DH-T1-E3
DISTI # SI1557DH-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI1557DH-T1-E3
    DISTI # 781-SI1557DH-E3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET N/P-Ch 12V 1.0/0.56A
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI1557DH-T1-E3

      Mfr.#: SI1557DH-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI1557DH-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3500
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