DMN4009LK3-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

27.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN4009

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

14.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

18.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.8 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

DMN400, DMN40, DMN4, DMN