FQPF4N80

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

43 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.7 S

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

45 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Teil # Aliase:

FQPF4N80_NL

Gewichtseinheit:

0.090478 oz

Tags

FQPF4N8, FQPF4N, FQPF4, FQPF, FQP