SIZ900DT

SIZ900DT
Mfr. #:
SIZ900DT
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIZ900DT Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
SIZ900DT-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
6-PowerPair
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
6-PowerPair
Aufbau
Duale gemeinsame Quelle
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
Leistung max
48W, 100W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
1830pF @ 15V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
24A, 28A
Rds-On-Max-Id-Vgs
7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.4V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
45nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
48 W 100 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
24 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
5.9 mOhms 3.2 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SIZ900DT, SIZ900, SIZ90, SIZ9, SiZ
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIZ900DT-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09215430
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A/28A 8-Pin PowerPAIR T/R
RoHS: Compliant
1355
  • 1000:$0.8606
  • 500:$0.9517
  • 250:$0.9706
  • 100:$1.0784
  • 25:$1.3487
  • 10:$1.3512
  • 1:$1.5884
SIZ900DT-T1-GE3
DISTI # SIZ900DT-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
109In Stock
  • 100:$1.5038
  • 10:$1.8570
  • 1:$2.0500
SIZ900DT-T1-GE3
DISTI # SIZ900DT-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIZ900DT-T1-GE3
    DISTI # SIZ900DT-T1-GE3DKR-ND
    Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®
    Limited Supply - Call
      SIZ900DT-T1-GE3
      DISTI # 27488534
      Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 19A/28A 8-Pin PowerPAIR T/R
      RoHS: Compliant
      1355
      • 1000:$0.8605
      • 500:$0.9516
      • 250:$0.9705
      • 100:$1.0784
      • 25:$1.3486
      • 10:$1.3511
      • 9:$1.5883
      SIZ900DT-T1-GE3
      DISTI # 91T5914
      Vishay IntertechnologiesMOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 24A, POWERPAIR-8,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:24A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.0059ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Power Dissipation Pd:48WRoHS Compliant: Yes0
      • 1000:$0.9450
      • 500:$0.9930
      • 250:$1.0700
      • 100:$1.1400
      • 50:$1.3100
      • 25:$1.4700
      • 1:$1.7700
      SIZ900DT-T1-GE3
      DISTI # 78-SIZ900DT-T1-GE3
      Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3
      RoHS: Compliant
      3000
      • 1:$1.7700
      • 10:$1.4700
      • 100:$1.1400
      • 500:$0.9930
      • 1000:$0.9450
      SIZ900DT-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3
      RoHS: Compliant
      Americas -
        Bild Teil # Beschreibung
        SIZ904DT-T1-GE3

        Mfr.#: SIZ904DT-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIZ904DT-T1-GE3

        MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
        SIZ988DT-T1-GE3

        Mfr.#: SIZ988DT-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIZ988DT-T1-GE3

        MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
        SIZ900DT

        Mfr.#: SIZ900DT

        OMO.#: OMO-SIZ900DT-1190

        Neu und Original
        SIZ900DT-T1-E3

        Mfr.#: SIZ900DT-T1-E3

        OMO.#: OMO-SIZ900DT-T1-E3-1190

        Neu und Original
        SIZ900DT-T1-GE3

        Mfr.#: SIZ900DT-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIZ900DT-T1-GE3-VISHAY

        MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
        SIZ904DT-T1-GE3

        Mfr.#: SIZ904DT-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIZ904DT-T1-GE3-VISHAY

        MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
        SIZ910DT-T1-GE3

        Mfr.#: SIZ910DT-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIZ910DT-T1-GE3-VISHAY

        MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
        SIZ914DT-GE3

        Mfr.#: SIZ914DT-GE3

        OMO.#: OMO-SIZ914DT-GE3-1190

        Neu und Original
        SIZ920

        Mfr.#: SIZ920

        OMO.#: OMO-SIZ920-1190

        Neu und Original
        SIZ988DT-T1-GE3

        Mfr.#: SIZ988DT-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIZ988DT-T1-GE3-VISHAY

        MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        5000
        Menge eingeben:
        Der aktuelle Preis von SIZ900DT dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
        Referenzpreis (USD)
        Menge
        Stückpreis
        ext. Preis
        1
        0,00 $
        0,00 $
        10
        0,00 $
        0,00 $
        100
        0,00 $
        0,00 $
        500
        0,00 $
        0,00 $
        1000
        0,00 $
        0,00 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
        Beginnen mit
        Top