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IRFZ46ZSTRLPBF

IRFZ46ZSTRLPBF
Mfr. #:
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRFZ46ZSTRLPBF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRFZ46ZSTRLPBF DatasheetIRFZ46ZSTRLPBF Datasheet (P4-P6)IRFZ46ZSTRLPBF Datasheet (P7-P9)IRFZ46ZSTRLPBF Datasheet (P10-P12)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
55 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
51 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
13.6 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
4 V
Qg - Gate-Ladung:
46 nC
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
82 W
Aufbau:
Single
Verpackung:
Spule
Höhe:
4.4 mm
Länge:
10 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
9.25 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
45 S
Abfallzeit:
39 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
63 ns
Werkspackungsmenge:
800
Unterkategorie:
MOSFETs
Teil # Aliase:
SP001571826
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
IRFZ46ZS, IRFZ46Z, IRFZ46, IRFZ4, IRFZ, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 55 V 13.6 mOhm 46 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
***ineon SCT
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
***ineon
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
***S.I.T. Europe - USA - Asia
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
***nell
MOSFET, N, 55V, 51A, D2-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 51A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.0136ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 82W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Alternate Case Style: D2-PAK; Current Id Max: 51A; Junction to Case Thermal Resistance A: 1.84°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V: 13.6mohm; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Pulse Current Idm: 200A; Voltage Vds: 55V; Voltage Vds Typ: 55V; Voltage Vgs Max: 4V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Max: 4V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRFZ46ZSTRLPBF
DISTI # IRFZ46ZSTRLPBF-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3200
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3200:$0.6737
IRFZ46ZSTRLPBF
DISTI # IRFZ46ZSTRLPBF		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFZ46ZSTRLPBF)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3200
Container: Reel		Americas - 0
  • 3200:$0.5039
  • 4800:$0.4859
  • 8000:$0.4679
  • 16000:$0.4519
  • 32000:$0.4439
IRFZ46ZSTRLPBF
DISTI # 70019036		Infineon Technologies AGMOSFET,55V,51A,13.6 MOHM,31 NC QG,D2-PAK
RoHS: Compliant		0
  • 3200:$1.9600
  • 6400:$1.9210
  • 16000:$1.8620
  • 32000:$1.7840
  • 80000:$1.6660
IRFZ46ZSTRLPBF
DISTI # 942-IRFZ46ZSTRLPBF		Infineon Technologies AGMOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC
RoHS: Compliant		1292
  • 1:$1.4700
  • 10:$1.2500
  • 100:$0.9600
  • 500:$0.8500
  • 800:$0.6800
IRFZ46ZSTRLPBFInfineon Technologies AGSingle N-Channel 55 V 13.6 mOhm 46 nC HEXFET Power Mosfet - D2PAK
RoHS: Compliant		10400Reel
  • 800:$0.5600
  • 1600:$0.5400
IRFZ46ZSTRLPBFInternational Rectifier 
RoHS: Not Compliant		64000
  • 1000:$0.5800
  • 500:$0.6100
  • 100:$0.6300
  • 25:$0.6600
  • 1:$0.7100
IRFZ46ZSTRLPBFInternational Rectifier 800
    Bild Teil # Beschreibung
    SN74AHC04QDRQ1

    Mfr.#: SN74AHC04QDRQ1

    OMO.#: OMO-SN74AHC04QDRQ1

    		 Inverters Automotive Catalog Hex Inverters
    SN74AHC00QDRQ1

    Mfr.#: SN74AHC00QDRQ1

    OMO.#: OMO-SN74AHC00QDRQ1

    		 Logic Gates Quadruple 2 Input Pos NAND Gate
    TPS7A9201DSKR

    Mfr.#: TPS7A9201DSKR

    OMO.#: OMO-TPS7A9201DSKR

    		 LDO Voltage Regulators ULTRA LOW NOISE 2A LDO WITH PG
    SS24S-E3/5AT

    Mfr.#: SS24S-E3/5AT

    OMO.#: OMO-SS24S-E3-5AT

    		 Schottky Diodes & Rectifiers 2A.40V,SM SKY RECT.
    82223C

    Mfr.#: 82223C

    OMO.#: OMO-82223C

    		 Fixed Inductors 22uH 0.32A Mini SMT Power
    ERA-3AEB6492V

    Mfr.#: ERA-3AEB6492V

    OMO.#: OMO-ERA-3AEB6492V-PANASONIC

    		 Thin Film Resistors - SMD 0603 64.9Kohm 0.1% 25ppm
    SN74AHC04QDRQ1

    Mfr.#: SN74AHC04QDRQ1

    OMO.#: OMO-SN74AHC04QDRQ1-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 Inverters Automotive Catalog Hex Inverters
    SN74AHC00QDRQ1

    Mfr.#: SN74AHC00QDRQ1

    OMO.#: OMO-SN74AHC00QDRQ1-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 Logic Gates Quadruple 2 Input Pos NAND Gate
    MFS1/4DCT52R1002F

    Mfr.#: MFS1/4DCT52R1002F

    OMO.#: OMO-MFS1-4DCT52R1002F-1088

    		 Metal Film Resistors - Through Hole 1/4W 10K ohm 1%
    TPS7A9201DSKR

    Mfr.#: TPS7A9201DSKR

    OMO.#: OMO-TPS7A9201DSKR-TEXAS-INSTRUMENTS

    		 IC REG LINEAR POS ADJ 2A 10WSON
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1984
    Menge eingeben:
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    1,43 $
    1,43 $
    10
    1,22 $
    12,20 $
    100
    0,94 $
    94,10 $
    500
    0,83 $
    416,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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