IRF7307QTRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

50 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

13.3 nC

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Produktart:

MOSFET

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

IRF7307Q, IRF7307, IRF730, IRF73, IRF7, IRF