SIHA4N80E-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

16 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

69 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Serie:

E

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.5 S

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Tags

SIHA, SIH