SSM6L61NU,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UDFN-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

108 mOhms, 157 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV, 500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V, 12 V

Qg - Gate-Ladung:

3.6 nC, 6.74 nC

Minimale Betriebstemperatur:

-

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFETs

Serie:

UMOSIX

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

Silizium P-/N-Kanal MOS

Breite:

2 mm

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S, 9.5 S

Abfallzeit:

-

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

-

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns, 54 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns, 21 ns

Tags

SSM6L6, SSM6L, SSM6, SSM