FJA3835TU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3P-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

120 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

700 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

8 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

8 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

4 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

250

Höhe:

18.9 mm (Max)

Länge:

15.8 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

5 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

8 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

120

Pd - Verlustleistung:

80 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

FJA3835TU_NL

Gewichtseinheit:

0.238311 oz

Tags

FJA3, FJA