FDI045N10A-F102

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

54 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

263 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

7.88 mm

Länge:

10.29 mm

Serie:

FDI045N10A

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.83 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

132 S

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

23 ns

Teil # Aliase:

FDI045N10A_F102

Gewichtseinheit:

0.073511 oz

Tags

FDI045, FDI04, FDI0, FDI