RZQ050P01TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-457T-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

19 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

35 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

RZQ050P01

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8 S

Abfallzeit:

225 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

100 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

420 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

RZQ050P01

Gewichtseinheit:

0.000494 oz

Tags

RZQ050P01T, RZQ050, RZQ05, RZQ0, RZQ