SPB80N06S-08

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

SIPMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

SIPMOS

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

73 S

Abfallzeit:

32 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

53 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

54 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Teil # Aliase:

SP000084808 SPB80N06S08ATMA1 SPB8N6S8XT

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

SPB80N06S, SPB80N06, SPB80N0, SPB80N, SPB8, SPB