MRF5S21130HR5

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

NXP

Produktkategorie:

HF-MOSFET-Transistoren

RoHS:

N

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Technologie:

Si

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.1 A

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

65 V

Gewinnen:

13.5 dB

Ausgangsleistung:

28 W

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

NI-880-3

Verpackung:

Spule

Aufbau:

Single

Höhe:

5.08 mm

Länge:

34.16 mm

Arbeitsfrequenz:

2.11 GHz to 2.17 GHz

Typ:

HF-Leistungs-MOSFET

Breite:

13.8 mm

Marke:

NXP / Freescale

Kanalmodus:

Erweiterung

Pd - Verlustleistung:

372 W

Produktart:

HF-MOSFET-Transistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Gewichtseinheit:

0.343346 oz

Tags

MRF5S21130H, MRF5S2113, MRF5S211, MRF5S2, MRF5S, MRF5, MRF