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TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X
Mfr. #:
TK12E80W,S1X
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK12E80W,S1X Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK12E80W,S1X DatasheetTK12E80W,S1X Datasheet (P4-P6)TK12E80W,S1X Datasheet (P7-P9)TK12E80W,S1X Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK12E80W,S1X Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
800 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
11.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
380 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
23 nC
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
165 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSIV
Serie:
TK12E80W
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
11 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
40 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
130 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
70 ns
Gewichtseinheit:
0.063493 oz
Tags
TK12E8, TK12E, TK12, TK1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***roFlash
X35 Pb-f Power Mosfet Transistor TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
***i-Key
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
***
PWR MOS TRANS TO-220AB(OS)
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Bild Teil # Beschreibung
TLV07IDR

Mfr.#: TLV07IDR

OMO.#: OMO-TLV07IDR

 Operational Amplifiers - Op Amps 36V CMOS OP AMP
LM329BZ#PBF

Mfr.#: LM329BZ#PBF

OMO.#: OMO-LM329BZ-PBF

 Voltage References Prec Volt Ref 20ppm/C 6.9V
TS12A4516DBVR

Mfr.#: TS12A4516DBVR

OMO.#: OMO-TS12A4516DBVR

 Analog Switch ICs Lo-Vltg,Lo On-St Res SPST CMOS Ana Sw
FA20NP02J223JNU06

Mfr.#: FA20NP02J223JNU06

OMO.#: OMO-FA20NP02J223JNU06

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - Leaded 630V 0.022uF NP0 5% RAD LS:5mm AEC-Q200
1141

Mfr.#: 1141

OMO.#: OMO-1141

 Lamps S-8 INCND S.C.BAY BASE LP
1431

Mfr.#: 1431

OMO.#: OMO-1431

 Display Development Tools OLED Breakout Board w/microSD holder
1141

Mfr.#: 1141

OMO.#: OMO-1141-ADAFRUIT

 Lamps S-8 INCND S.C.BAY BASE LP
MKS0C032200C00KSSD

Mfr.#: MKS0C032200C00KSSD

OMO.#: OMO-MKS0C032200C00KSSD-428

 Cap Film 0.22uF 63V PET 10% (4.6 X 3 X 7.5mm) Radial 2.5mm 100C Bulk
1431

Mfr.#: 1431

OMO.#: OMO-1431-ADAFRUIT

 TUBING, SPLIT LOOM, 12.523MM, GREY, 100FT, Sleeving / Tubing Type:Split Corrugated Loom, Sleeving Material:PE (Polyethylene), Sleeving Colour:Grey, Internal Diameter:12.523mm, Length - Metric:30.
B32672P4205K000

Mfr.#: B32672P4205K000

OMO.#: OMO-B32672P4205K000-EPCOS

 Film Capacitors 2.0uF 450volts 10% LS=15mm MKP
Verfügbarkeit
Aktie:
281
Auf Bestellung:
2264
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Referenzpreis (USD)
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Stückpreis
ext. Preis
1
3,31 $
3,31 $
10
2,66 $
26,60 $
100
2,42 $
242,00 $
250
2,19 $
547,50 $
500
1,96 $
980,00 $
1000
1,66 $
1 660,00 $
2500
1,57 $
3 925,00 $
5000
1,52 $
7 600,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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