FMMT625TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

150 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

150 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

180 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

135 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

FMMT62

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200 at 10 mA, 10 V

Höhe:

1 mm

Länge:

2.9 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.3 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 10 mA, 10 V, 300 at 200 mA, 10 V, 30 at 1 A, 10 V

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.001058 oz

Tags

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