SQD100N03-3M2L_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

116 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

136 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

122 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

SQD100N03-3M2, SQD100N03, SQD100N, SQD100, SQD10, SQD1, SQD