SSM3J56ACT,L3F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

CST3-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

1.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.38 mm

Länge:

1 mm

Serie:

SSM3J56

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

0.6 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Tags

SSM3J56A, SSM3J5, SSM3J, SSM3, SSM