SIE844DF-T1-E3

SIE844DF-T1-E3
Mfr. #:
SIE844DF-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIE844DF-T1-E3 Datenblatt
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SIE844DF-T1-E3 DatasheetSIE844DF-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SIE844DF-T1-E3 Datasheet (P7)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SIE844DF-E3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PolarPAK-10
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
5.2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
10 ns
Anstiegszeit
10 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
20.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
7 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
25 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
25 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SIE84, SIE8, SIE
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ark
N CHANNEL MOSFET, 30V, 44.5A, POLARPAK, FULL REEL
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
***nell
MOSFET, N, POLARPAK
***ment14 APAC
MOSFET, N, POLARPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:5.2W; Operating Temperature Range:-50°C to +150°C; Transistor Case Style:PolarPAK; No. of Pins:10; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:44.5A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PolarPAK; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:5.2W; Rise Time:10ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIE844DF-T1-E3
DISTI # SIE844DF-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIE844DF-T1-E3
    DISTI # 781-SIE844DF-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SIE844DF-T1-GE3

      Mfr.#: SIE844DF-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIE844DF-T1-GE3

      MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
      SIE844DF-T1-E3

      Mfr.#: SIE844DF-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIE844DF-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
      SIE844DF-T1-GE3

      Mfr.#: SIE844DF-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIE844DF-T1-GE3-VISHAY

      MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
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