2N2219 PBFREE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-39-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.6 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

250 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2N22

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 150 mA, 10 V

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

800 mA

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

100 at 150 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N2219, 2N221, 2N22, 2N2