TT8M3TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSST-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A, 2.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

140 mOhms, 360 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

3.6 nC, 6.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.7 S, 2.4 S

Abfallzeit:

17 ns, 45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17 ns, 25 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns, 55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns, 9 ns

Teil # Aliase:

TT8M3

Tags

TT8M, TT8