IPC90N04S5L3R3ATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

90 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

40 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

62 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Serie:

N-Kanal

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Teil # Aliase:

IPC90N04S5L-3R3 SP001418122

Tags

IPC90N, IPC90, IPC9, IPC